15.07.2022
Objavil: Dare Gliha
Samsung je napovedal začetek množične proizvodnje prve generacije čipov v 3 nm tehnologiji. Ta temelji na novi tranzistorski arhitekturi GAA (Gate-All-Around), ki je naslednji korak po FinFET.
V primerjavi s 5 nm lahko Samsungovi čipi prve generacije na 3 nm zagotavljajo do 23 % boljšo zmogljivost, do 45 % manjšo porabo energije in 16 % manjšo površino.
Samsungovi čipi druge generacije 3 nm bodo še bolj impresivni. Samsung navaja, da bodo v primerjavi s 5 nm dosegli 50-odstotno zmanjšanje porabe energije, do 30-odstotno izboljšanje zmogljivosti in 35-odstotno zmanjšanje površine.
Samsung je z zagonom 3nm proizvodnje čipov zdaj pred družbo TSMC, ki naj bi začela množično proizvodnjo 3nm čipov v drugi polovici leta.
Izdelava spletnih strani - Sistem za izgradnjo in optimizacijo spletnih strani za spletne iskalnike | Oblikovanje - Spletno in grafično oblikovanje Spam prevention |
.SI domene in gostovanje - Brezplačne domene ob nakupu gostovanja |